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射頻離子源 RFICP 140
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射頻離子源 RFICP 140

KRI 射頻離子源 RFICP 140
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 射頻離子源 RFICP 140 是一款緊湊的有柵極離子源,非常適用于離子束濺射沉積, 離子輔助沉積和離子束刻蝕. 在離子束濺射工藝中,離子源 RFICP 140 配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現完美的薄膜特性. 同樣的在離子束輔助沉積和離子束刻蝕工藝中, 最佳的離子光學元件能夠完成發散和聚集離子束的任務. 就標準的型號而言, 可以在離子能量為 100~1000 eV 范圍內獲得很高的離子密度.

KRI 射頻離子源 RFICP 140 技術參數:

型號

RFICP 140 / RFICP 140L

供電

RF 射頻感應耦合

 - 陰極燈絲

-

 - 射頻功率

1 KW

電子束

OptiBeam™

 - 柵極

專用

 -柵極直徑

14 cm

中和器

LFN 2000

電源控制

RFICP 1510-2-10-LFNA

配置

-

 - 陰極中和器

LFN2000 or MHC1000 or RFN

 - 安裝

移動或快速法蘭

 - 高度

9.8'

 - 直徑

9.8'

 - 離子束

聚焦
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

8-36”

 - 自動控制

控制4種氣體

KRI 考夫曼離子源 RFICP 140 應用領域:
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜)IBAD,
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

 

 

 

 

 

 

 

 

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