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KRI 考夫曼離子源 KDC 10
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KRI 考夫曼離子源 KDC 10

KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東代理美國原裝進口 KRI 考夫曼離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列最小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設備中, 例如預清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在 <1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設計, 低成本等優點廣泛應用在顯微鏡領域, 標準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.

 KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術參數

型號

KDC 10

供電

DC magnetic confinement

 - 陰極燈絲

1

 - 陽極電壓

0-100V DC

 - 柵極直徑

1cm

中和器

燈絲

電源控制

KSC 1202

配置

-

 - 陰極中和器

Filament, Sidewinder Filament  或LFN 1000

 - 架構

移動或快速法蘭

 - 高度

4.5'

 - 直徑

1.52'

 - 離子束

集中
平行
散設

 -加工材料

金屬
電介質
半導體

 -工藝氣體

惰性
活性
混合

 -安裝距離

2-12”

 - 自動控制

控制4種氣體


KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應用領域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE

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